一、芯片（原材料/存儲芯片/應用領(lǐng)域）

1、SK海力士開發(fā)出適用于AI數(shù)據(jù)中心的高容量固態(tài)硬盤“PS1012 U.2”

12月18日，SK海力士宣布，開發(fā)出適用于AI數(shù)據(jù)中心的高容量固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PS1012 U.2*（以下簡稱PS1012）’。PS1012采用了最新的第五代PCIe*，與基于第四代的產(chǎn)品相比其帶寬增大了一倍。因此，數(shù)據(jù)傳輸速度可達32GT/s**（千兆傳輸/秒），順序讀取性能是以前一代規(guī)格產(chǎn)品的兩倍，可達13GB/s（千兆字節(jié)/秒）。

2、國家集成電路創(chuàng)新中心河南分中心在此地揭牌

12月17日，國家集成電路創(chuàng)新中心河南分中心在開封揭牌，推動開封更好落實省委“創(chuàng)新驅(qū)動、科教興省、人才強省”戰(zhàn)略，構(gòu)建具有全國影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群，開創(chuàng)新興產(chǎn)業(yè)培育新局面。

國家集成電路創(chuàng)新中心圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，致力于建設集成電路共性技術(shù)平臺、集成電路共性技術(shù)支撐平臺、國際合作和人才培養(yǎng)平臺，重點做好技術(shù)開發(fā)、測試驗證、中試孵化、成果轉(zhuǎn)化、投融資和人才培養(yǎng)六大任務。國家集成電路創(chuàng)新中心將扎實推進合作項目建設，積極拓展合作領(lǐng)域，服務行業(yè)發(fā)展，為開封集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻更大力量。

3、中科院金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件研究獲突破性進展

據(jù)市場調(diào)研發(fā)現(xiàn)，12月17日，上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團隊和南京電子器件研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展。

上海微系統(tǒng)所研究團隊創(chuàng)新發(fā)展XOI晶圓轉(zhuǎn)印技術(shù)，在國際上率先實現(xiàn)陣列化氧化鎵單晶薄膜與1英寸金剛石襯底的異質(zhì)集成。轉(zhuǎn)移處理后氧化鎵單晶薄膜材料搖擺曲線半高寬為78 arcsec，表面粗糙度為0.35 nm；金剛石/氧化鎵異質(zhì)界面過渡層厚度小于2 nm，界面熱阻為21.7 m2·K/GW，為目前已報道最優(yōu)值。

基于此制備的射頻器件性能和散熱能力得到顯著提升，器件開態(tài)飽和電流高達810 mA/mm，最大振蕩頻率去嵌前達到61 GHz，為目前報道最高值；相同功率下，器件結(jié)區(qū)最高溫度相比氧化鎵同質(zhì)器件降低250℃，散熱能力提升11倍，器件熱阻僅為5.52W·mm/K，極大提升氧化鎵射頻器件性能和散熱能力。該方法不僅成本低、不受晶圓表面質(zhì)量限制，還兼容其他不同尺寸、不同種類的XOI異質(zhì)集成薄膜到任意襯底上甚至任意位向的轉(zhuǎn)移。

二、政策梳理

中共中央辦公廳、國務院辦公廳聯(lián)合發(fā)布關(guān)于數(shù)字貿(mào)易改革創(chuàng)新發(fā)展的意見

【中共中央辦公廳、國務院辦公廳聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于數(shù)字貿(mào)易改革創(chuàng)新發(fā)展的意見》】11月28日，中共中央辦公廳、國務院辦公廳聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于數(shù)字貿(mào)易改革創(chuàng)新發(fā)展的意見》，《意見》提出，加強數(shù)字技術(shù)研發(fā)支持，促進成果轉(zhuǎn)化及與其他行業(yè)的融合創(chuàng)新發(fā)展。充分發(fā)揮服務貿(mào)易創(chuàng)新發(fā)展引導基金作用，帶動社會資本投資數(shù)字貿(mào)易領(lǐng)域。加強數(shù)字貿(mào)易相關(guān)培訓，提高領(lǐng)導干部專業(yè)素質(zhì)。發(fā)揮數(shù)字貿(mào)易專家作用，加強相關(guān)理論與實踐研究。支持高等學校設置數(shù)字貿(mào)易相關(guān)學科。創(chuàng)新數(shù)字貿(mào)易人才培養(yǎng)模式，加強拔尖創(chuàng)新人才培養(yǎng)，深化校企、政企合作，支持企業(yè)加強專業(yè)人才培訓。

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一、芯片（原材料/存儲芯片/應用領(lǐng)域）
1、SK海力士開發(fā)出適用于AI數(shù)據(jù)中心的高容量固態(tài)硬盤“PS1012 U.2”
2、國家集成電路創(chuàng)新中心河南分中心在此地揭牌
3、中科院金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件研究獲突破性進展
二、政策梳理
中共中央辦公廳、國務院辦公廳聯(lián)合發(fā)布關(guān)于數(shù)字貿(mào)易改革創(chuàng)新發(fā)展的意見